一种分布式反馈激光器及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202011407932.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112490848A | 公开(公告)日 | 2021-03-12 |
申请公布号 | CN112490848A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
分类号 | H01S5/30(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张宇晖;王涛;刘朝明 | 申请(专利权)人 | 因林光电科技(苏州)有限公司 |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
地址 | 215002江苏省苏州市苏州高新区科技城五台山路588号2号厂房101 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种分布式反馈激光器及其制备方法,分布式反馈激光器包括:激光器外延结构,激光器外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层,多层外延层包括中间外延层以及依次位于中间外延层远离衬底一侧的上光场限制层和上接触层;外延层的材料包括Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N,其中,0≤x1≤1、0≤y1≤1,0≤(x1+y1)≤1;位于上接触层远离衬底一侧的第一类型欧姆接触金属层;其中,上光场限制层、上接触层和第一类型欧姆接触金属层形成脊形结构;脊形结构沿m方向延伸,脊形结构中,上接触层和部分上光场限制层的侧面均为m面;位于衬底远离外延层一侧的第二类型欧姆接触金属层。本发明解决了干法刻蚀脊形侧壁的非辐射复合和漏电以及激射波长不稳定的技术问题。 |
