一种半导体激光器集成芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011411644.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410759A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410759A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01S5/22（2006.01）I;H01S5/12（2021.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/0687（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘朝明;高磊;张宇晖 | 申请（专利权）人 | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215002江苏省苏州市苏州高新区科技城五台山路588号2号厂房101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器集成芯片及其制备方法，集成芯片包括激光出射单元和激光探测单元；集成芯片还包括：公共外延结构；位于公共外延结构一侧的第一介质结构和分立外延结构；分立外延结构包括第一分立外延结构和第二分立外延结构；激光出射单元包括公共外延结构、第一分立外延结构、第一分立电极和公共电极；激光探测单元包括公共外延结构、第二分立外延结构、第二分立电极和公共电极；激光出射单元具备第一腔长，激光探测单元具备第二腔长，第一介质结构具备第三腔长，半导体激光器集成芯片的腔长为第一腔长、第三腔长与第二腔长之和。解决激光器腔长短难解理、良率低以及输出功率不稳定，影响激光器的使用场景和使用范围的技术问题。 |
