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一种半导体激光器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011360285.1 申请日 -
公开（公告）号 CN112467518A 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN112467518A 申请公布日 2021-03-09
分类号 H01S5/042(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I;H01S5/22(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘朝明;王涛;张鹏 申请（专利权）人 因林光电科技（苏州）有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江苏省苏州市苏州高新区科技城五台山路588号2号厂房101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种半导体激光器的制备方法，包括：制备半导体激光器的外延结构，在上接触层远离所述衬底的一侧制备第一电极层，在第一电极层远离衬底的一侧制备牺牲层，刻蚀牺牲层、第一电极层、上接触层和部分上光场限制层形成脊形结构，刻蚀剩余部分上光场限制层和牺牲层形成光栅结构，去除牺牲层，在衬底远离中间外延层的一侧制备第二电极层，对外延结构、第一电极层和第二电极层进行划片、解理、镀膜以及裂片工艺，形成半导体激光器。本发明实施例采用一次外延生长技术，且制备过程简单，有效降低半导体激光器制造成本，实现了光栅的可控制备，可降低器件的接触电阻，有效提升了器件性能和可靠性，有利于大规模生产。