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一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010988980.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112103767B	公开（公告）日	2021-09-17
申请公布号	CN112103767B	申请公布日	2021-09-17
分类号	H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张宇晖;王涛;刘朝明	申请（专利权）人	因林光电科技（苏州）有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆
地址	215163江苏省苏州市苏州高新区科技城五台山路588号2号厂房101
法律状态	-

摘要

本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：形成InP系外延结构，InP系外延结构包括层叠设置的InP衬底、n型上DBR层、有源区及波导层和第一p型下DBR层；形成GaAs系外延结构，GaAs系外延结构包括层叠设置的p型GaAs衬底以及第二p型下DBR层；键合第一p型下DBR层和第二p型下DBR层；去除InP衬底，露出n型上DBR层；图案化n型上DBR层以形成多个n型上DBR单元；在有源区及波导层靠近n型上DBR层的一侧形成限流层，限流层与n型上DBR单元同层设置；形成多个环形电极和背电极，并在环形电极围成的区域内形成介质DBR层，以形成垂直腔面发射激光器晶圆，切割晶圆以形成多个垂直腔面发射激光器。该制备方法可以提高成品率和生产效率。