一种晶体硅太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310125311.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103208564B | 公开（公告）日 | 2016-01-20 |
| 申请公布号 | CN103208564B | 申请公布日 | 2016-01-20 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 石强;李旺;单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;仇展炜 | 申请（专利权）人 | 酒泉正泰太阳能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 冯谱 |
| 地址 | 314417 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P离子注入；在所述硅片的背面进行重掺杂，并对所述硅片进行退火；去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极。本发明的方法制备的太阳能电池在具有通过离子注入获得的高效p-n结的同时还具有优异的背面吸杂效果，光电转换效率得到了显著提升。 |
