单晶炉用热屏
基本信息
| 申请号 | CN201020531582.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201785546U | 公开（公告）日 | 2011-04-06 |
| 申请公布号 | CN201785546U | 申请公布日 | 2011-04-06 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张勇 | 申请（专利权）人 | 安徽中科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 239200 安徽省来安县工业新区C区迎宾大道 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及单晶炉用热屏，包括外热屏、内热屏以及位于外热屏和内热屏之间的保温层，所述的外热屏和内热屏固定连接，外热屏的锥度为0.16-0.23，内热屏的锥度为0.52-0.63，所述的内热屏和外热屏均采用等静压石墨制成，保温层的材料为软毡。本实用新型的有益效果是：通过调整内外热屏锥度，改变保温层厚度，使屏蔽效果更佳，硅单晶生长速度更快；外热屏锥度变小，外热屏底部略平，增大了氩气流速，增强了SiO等杂质的挥发，改善了硅单晶的生长环境，提高了硅单晶收率及质量。 |
