直拉法单晶硅生产用石英坩埚
基本信息
| 申请号 | CN201220130465.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202558962U | 公开（公告）日 | 2012-11-28 |
| 申请公布号 | CN202558962U | 申请公布日 | 2012-11-28 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张勇 | 申请（专利权）人 | 安徽中科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 安徽信拓律师事务所 | 代理人 | 娄尔玉 |
| 地址 | 239200 安徽省滁州市来安县工业新区C区迎宾大道 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及直拉法单晶硅生产用石英坩埚，包括石英坩埚本体，本体内壁具有保护涂层，所述石英坩埚的埚体内壁的保护涂层为碳酸钡涂层，所述内壁的保护涂层的厚度为1至3微米。本实用新型内壁的碳酸钡涂层可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，不会与高温硅熔体产生化学反应，所以在单晶硅的生产过程中，石英坩埚的内壁不会被高温硅熔体侵蚀，高温下具有高强度并改善硅晶体晶格完美性的石英坩埚，具有较高的实用价值。 |
