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一种单片硅基微压传感器

基本信息

申请号 CN201820366252.X 申请日 -
公开（公告）号 CN207991720U 公开（公告）日 2018-10-19
申请公布号 CN207991720U 申请公布日 2018-10-19
分类号 G01L1/22 分类 测量；测试;
发明人 沈绍群;罗小勇;阮炳权 申请（专利权）人 上海旦宇传感器科技有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司
地址 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种单片硅基微压传感器，包括硅片主体，硅片主体包括相互键合于一起的硅基片和弹性硅膜，硅基片和弹性硅膜之间设置有第一二氧化硅层，硅基片之中设置有腐蚀坑，腐蚀坑之中设置有背岛结构，背岛结构包括用于稳定测量的背岛和包裹背岛设置的腐蚀自终止结构。由于背岛被腐蚀自终止结构所包裹，因此只需调节腐蚀自终止结构所包裹的范围大小，即可灵活准确设置背岛的大小，从而能够使背岛不会受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率、降低成本，还能够克服大背岛的自重效应，从而提高稳定性，避免出现背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题，从而能够形成厚度一致性好、灵敏度一致性好的弹性硅膜，从而适宜于大规模生产。