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压力传感器的硅芯片结构总成

基本信息

申请号 CN201320788479.0 申请日 -
公开（公告）号 CN203616042U 公开（公告）日 2014-05-28
申请公布号 CN203616042U 申请公布日 2014-05-28
分类号 G01L9/06(2006.01)I;G01L19/00(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 沈绍群;罗小勇 申请（专利权）人 上海旦宇传感器科技有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 冯剑明
地址 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了压力传感器的硅芯片结构总成，包括硅芯片，所述硅芯片上设置有硅弹性膜区，在该硅弹性膜区上设置有四个压敏电阻构成惠斯顿电桥，所述硅芯片上连接有金属基座，所述金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片上对应该通道位置设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述硅弹性膜区为由梁区和膜区构成的梁膜区，所述四个压敏电阻设置在所述梁区上，梁区厚度为膜区厚度的二倍以上，使得被测介质作用于膜区的压力会集中到梁区上，大大的提高了硅弹性膜区的灵敏度，降低了检测误差，并且本实用新型结构简单合理紧凑、实施方便、成本低，能够很好的适应行业发展的需求。