新型表压传感器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810263734.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108545691A | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 申请公布号 | CN108545691A | 申请公布日 | 2018-09-18 |
| 分类号 | B81B3/00;B81C1/00;G01L9/06 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 沈绍群;罗小勇;阮炳权 | 申请（专利权）人 | 上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 地址 | 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型表压传感器及其制作方法，通过在硅基片之上层叠设置膜岛结构，而膜岛结构包括弹性硅膜和设置于弹性硅膜之上的岛区，因此岛区会处于硅片主体的表面，从而免去了传统的设置于硅基片背面的大背岛结构，使得岛区不再受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率和降低成本；此外，由于新型表压传感器并不具有传统的大背岛结构，不仅能克服大背岛的自重效应而提高稳定性，并且还能避免出现大背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题。 |
