高过载背压式绝压传感器模块及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310642617.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103674397B | 公开（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申请公布号 | CN103674397B | 申请公布日 | 2016-04-20 |
| 分类号 | G01L9/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群;罗小勇 | 申请（专利权）人 | 上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 新会康宇测控仪器仪表工程有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司;广东和宇传感器有限公司 |
| 地址 | 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。 |
