一种SOI压力应变计
基本信息
| 申请号 | CN201320858735.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203643063U | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN203643063U | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群;罗小勇;梁栋汉;阮炳权 | 申请（专利权）人 | 上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 新会康宇测控仪器仪表工程有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 地址 | 529100 广东省江门市新会区会城西门路圭峰高科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种SOI压力应变计，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘的力敏电阻，通过内金属引线把力敏电阻连接成半桥或全桥惠斯顿电路。金属内引线是在掺浓硼的单晶硅或多晶硅层表面行走。二氧化硅绝缘薄膜电阻率高达1015Ω-cm，保证力敏电阻之间没有电泄漏。因此可用于工作温度高达300℃以上的军事工业上。由于采用了高浓度的单晶硅或多晶硅材料制作力敏电阻，所以灵敏度和零点的温度系数达到了10-6VB/℃以上。具有高温低漂移的优良特性。 |
