一种扇出封装方法及扇出封装结构
基本信息
申请号 | CN202111352295.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113793812A | 公开(公告)日 | 2021-12-14 |
申请公布号 | CN113793812A | 申请公布日 | 2021-12-14 |
分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈文军;潘明东;张中;梅万元 | 申请(专利权)人 | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
代理机构 | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 裴素艳 |
地址 | 210000江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号A-11 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种扇出封装方法及扇出封装结构,取透光材质的载板,在载板上涂敷复合分离层;在复合分离层上溅射金属层;在金属层上方依次制作再布线金属线路层、线路层金属焊盘;将多个芯片焊接在再布线金属线路层上;通过第一次塑封、解键合去载板、第二次塑封得到塑封晶圆,在塑封晶圆上制作金属凸块,减薄后切割成独立封装体,再制作金属球,将高密度I/O扇出为低密度的封装引脚。本发明减薄了整个封装体结构,能够有效降低大尺寸晶圆减薄后传送的破损风险;提高封装结构的可靠性和稳定性;可以直接焊接在印刷电路板上,无需再转接到基板上,简化了焊接流程。 |
