一种在玻璃晶圆表面制备金属层的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110896503.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113658872A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113658872A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陶余凡 | 申请（专利权）人 | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京禾易知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张松云 |
| 地址 | 211800江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号A-11 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种在玻璃晶圆表面制备金属层的方法，包括如下步骤：S1、采用等离子刻蚀工艺清洗玻璃晶圆；S2、将光刻胶均匀旋涂至所述玻璃晶圆表面，形成第一键合层；S3、以化剂溶解所述第一键合层的边缘部分，获得第二键合层，所述第二键合层的直径小于所述第一键合层；S4、以溅射工艺溅射金属于S2中所得玻璃晶圆表面，获得金属层，其中，所述第二键合层表面的金属层与所述边缘部分的金属层厚度相等。本发明通过以化剂溶解位于玻璃晶圆边缘的键合层，于玻璃晶圆边缘金属层直接与玻璃镜与阿尼相接触，相比于金属层与键合层之间的结合力，金属层与玻璃晶圆的表面结合力更强。 |
