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一种UBM跨越式晶圆级封装结构

基本信息

申请号 CN202120662281.2 申请日 -
公开（公告）号 CN214588835U 公开（公告）日 2021-11-02
申请公布号 CN214588835U 申请公布日 2021-11-02
分类号 H01L23/488（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张杰 申请（专利权）人 江苏芯德半导体科技有限公司
代理机构 南京华恒专利代理事务所（普通合伙） 代理人 宋方园
地址 210032江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号A-11
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片基层，所述芯片基层包含正表面和背表面，在正表面上设有第一压区和第二压区，在第一压区和第二压区之间设有第三压区单元，第三压区单元包含至少一个压区；凸块下金属化层，所述凸块下金属化层的接触端与至少和第一压区和第二压区连接，所述凸块下金属化层上方有焊接凸点；钝化层，所述钝化层形成与芯片基层的正表面，所述凸块下金属化层下方设有可跨越单个或多个再布线层。本发明的一种UBM跨越式晶圆级封装结构，UBM跨越再布线层（RDL层）或再钝化层（Repassivation）互联导通芯片不同区域压区的晶圆级封装新型结构，简化了晶圆级封装的工艺流程。