一种新型瞬态响应增强LDO
基本信息
| 申请号 | CN202120210273.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214586612U | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN214586612U | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | G05F1/56（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 倪灿灿 | 申请（专利权）人 | 灿芯半导体（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创策知识产权代理有限公司 | 代理人 | 颜海良 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种新型瞬态响应增强LDO，包括误差放大器EA、调整管MP、反馈电阻网络RA和RB、反馈电容CA以及负载电容CL和负载电阻Rout；误差放大器EA和调整管MP的栅极之间连接有瞬态响应增强电路TRANSIENT ENHANGCE，TRANSIENT ENHANGCE包括迟滞比较器、ONE_SHOT以及两个NMOS管MN1、MN2；采用迟滞比较器对误差放大器EA的输入差分对管的漏极电压进行采集比较，得到的比较结果通过ONE_SHOT消除毛刺，提高了瞬态增强的抗噪声性能；再通过NMOS管对调整管MP的栅极电压进行调节，从而达到增强负载瞬态响应的作用。 |
