一种新型高速DDR发送电路专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种新型高速DDR发送电路

基本信息

申请号	CN202120183550.7	申请日	-
公开（公告）号	CN215528990U	公开（公告）日	2022-01-14
申请公布号	CN215528990U	申请公布日	2022-01-14
分类号	H03K19/0175（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	孔亮;陈捷;刘亚东;庄志青	申请（专利权）人	灿芯半导体（上海）股份有限公司
代理机构	盐城市苏知桥知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	蔡姗
地址	201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种新型高速DDR发送电路，包括两个PMOS管PM1、PM2和两个NMOS管NM1、NM2；PM1的源极接高电压VDDQ，漏极与PM2的源极相连，PM2的漏极与一电阻相连，电阻的另一端与输出垫片相连；PM1的栅极和控制线netp相连，netp通过反向器INV1与数据输入DIN相连，INV1与netp之间设有电容C；INV1的工作电压为低电压VDD，电容C和netp为PM1的栅极提供一个电压VDDL，以对PM1进行保护；NM1的源极接地，漏极与NM2的源极相连，NM2的漏极与电阻相连；NM1的栅极通过反向器INV2与数据输入DIN相连；采用速度较快的低压器件做主驱动电路及前驱动电路，同时利用时钟信号和开关电容在不额外大幅增加功耗的情况下制造一个电压来保证低压器件的安全性，有效提高了电路的工作速度。