一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备及应用
基本信息
| 申请号 | CN202210269277.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695597A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695597A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;H01L31/0296（2006.01）I;H01L31/103（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 南海燕;张浩哲;肖少庆;顾晓峰 | 申请（专利权）人 | 江南大学 |
| 代理机构 | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 214122江苏省无锡市滨湖区锦溪大道99号江南大学国家大学科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备方法及其应用手段，属于半导体器件领域。本发明所述的制备碲化钼同质异相光电探测器的方法包括如下步骤：先通过机械剥离与转移技术将MoTe2转移至硅基衬底上；之后通过光刻将MoTe2的两端暴露在环境中；接着使用氧气等离子体处理被光刻胶覆盖的MoTe2衬底，其中MoTe2两端发生相变而沟道处未发生相变；最后在两端蒸镀电极，得到所述的碲化钼同质异相光电探测器。本发明所述的碲化钼同质异相光电探测器的应用包括如下领域：载流子迁移率、开关比、不同波长可见光及940nm近红外光下的光电流及光响应。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器具有高迁移率、高开关比、高光电流及高响应度的性能。 |
