一种半导体激光器芯片失效分析方法
基本信息
| 申请号 | CN202011033121.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112179919A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112179919A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | G01N21/956;G01N23/2251;G01N23/00;G01N21/66;G01R31/28 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王宝超;任占强;李喜荣;赵永超;李斌 | 申请（专利权）人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光器芯片失效分析方法，目的是解决现有方法难以准确分析和判断半导体激光器芯片失效原因的问题。该方法包括：步骤一、物理缺陷检查；步骤二、光电性能测试；步骤三、腔面光场分布测试；步骤四、扫描电子显微镜分析；步骤五、内部分析；步骤六、焊接质量分析。本发明方法是一种逐层递进、由外及内的失效分析方法，可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深层机理。 |
