一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010783751.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111934186A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN111934186A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01S5/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任占强;李波;李青民;王宝超;李喜荣;仇伯仓 | 申请（专利权）人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郑丽红 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括：步骤一、设置加载电流；步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上；步骤三、采集半导体激光器芯片的电流‑功率曲线、电流‑电压曲线；步骤四、若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明方法无需专业设备，只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值，即可进行COBD和COMD的判断，检测设备简单、成本较低，只需普通技术人员即可实现失效的判断。 |
