一种氧化增光二极管制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011459843.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112563378A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112563378A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | H01L33/26(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏黎明;李青民;任占强;李喜荣;王宝超;张超奇;孙丞;李波 | 申请（专利权）人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郑丽红 |
| 地址 | 710077陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。 |
