一种半导体激光合束技术
基本信息
| 申请号 | CN202010728798.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111929778A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111929778A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | G02B6/42;H01S5/00 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 南瑶;李波;贾伟洋;李青民;孙翔;李喜荣;李伟 | 申请（专利权）人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光合束技术，在裸光纤的侧壁上，垂直于光纤光轴刻蚀与激光波长相当宽度的衍射光栅，裸光纤纵向放置于全反射槽内构成光纤耦合器，半导体激光器的快轴与裸光纤光轴同向，激光经衍射光栅耦合到裸光纤纤芯，从裸光纤的两端输出，若干个光纤耦合器首尾熔接构成光纤耦合链，若干个光纤耦合链并列且间隔与半导体激光器巴条上发光点间隔相等，半导体激光巴条叠阵的发光点对准光纤耦合器，所有光纤耦合链长度相等且所有输出端与一根光纤熔接，从一根光纤输出合束激光经准直获得高功率光束质量比的激光光束，大数量半导体激光器输出激光合束获得高功率光束质量比的激光光束。 |
