一种半导体激光器芯片的合束方法及合束装置
基本信息
| 申请号 | CN202011032905.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112164975B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112164975B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01S5/00;G02B6/42 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李青民;李波;任占强;孙翔;南瑶 | 申请（专利权）人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郑丽红 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光器芯片的合束方法及合束装置，目的是解决现有激光器合束方式存在合束激光能量低以及功率光束质量比低的问题。该半导体激光器芯片的合束方法包括：步骤一、在光纤包层表面制作衍射结构，同时在光纤一端制作全反射膜；步骤二、将多个半导体激光器芯片设置在光纤包层外侧；步骤三、半导体激光器芯片发出的光经布满衍射结构的光纤包层进入光纤纤芯，最终从光纤另一端输出，从而实现激光合束。 |
