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一种二极管外延结构

基本信息

申请号	CN202011459828.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112563376A	公开（公告）日	2021-03-26
申请公布号	CN112563376A	申请公布日	2021-03-26
分类号	H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	夏黎明;李青民;任占强;李波;李会利;杜美本	申请（专利权）人	西安立芯光电科技有限公司
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司	代理人	郑丽红
地址	710077陕西省西安市高新区丈八六路56号2号楼1层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种二极管外延结构，解决现有二极管外延结构存在波导折射率较低、光损耗较大的问题。该二极管外延结构包括由下至上依次设置的N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、N型AlXGa(1‑X)As下限值层、AlXGa(1‑X)As波导层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、AlXGa(1‑X)As波导层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型GaAs电流扩展层和P型GaAs电极接触层。该结构降低了波导势垒，增加了波导的折射率，增强波导对光的束缚性，从而提高了器件的发光效率。