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多晶硅薄膜电池片的生产工艺

基本信息

申请号 CN201210119571.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102646755A 公开（公告）日 2012-08-22
申请公布号 CN102646755A 申请公布日 2012-08-22
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张海霞;张海军;车永军;田鹏 申请（专利权）人 锦州新世纪能源科技集团有限公司
代理机构 锦州辽西专利事务所 代理人 李辉
地址 121000 辽宁省锦州市经济技术开发区天王路
法律状态 -

摘要

摘要 一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺，步骤如下：1）、制作石墨基片；2）、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚，加热至完全熔化；3）、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅，并迅速脱离；4）、将石墨基片的底面朝上放置，冷却石墨基片上熔融的多晶硅，直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板；5）、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下；6）、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。优点是：使用到的设备简单、造价低廉、故障率低、容易维护，整个生产过程操作简单，工人无需经过专业的培训即可上岗操作，每公斤硅料出片率高，生产成本低，生产效率高，生产环境好，无需抛光，产品的光电转化效率高。