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去除多晶硅中金属杂质的方法

基本信息

申请号 CN201210119563.3 申请日 -
公开（公告）号 CN102674365A 公开（公告）日 2012-09-19
申请公布号 CN102674365A 申请公布日 2012-09-19
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 张海霞;张海军;车永军;田鹏 申请（专利权）人 锦州新世纪能源科技集团有限公司
代理机构 锦州辽西专利事务所 代理人 锦州新世纪石英（集团）有限公司
地址 121000 辽宁省锦州市经济技术开发区天王路
法律状态 -

摘要

摘要 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，具体步骤如下：将工业硅投入坩埚；降低炉膛内压力至10Pa以下；启动加热装置，将工业硅全部融化后，缓慢调低加热温度至熔融的工业硅的温度保持在1420℃～1421℃之间；向炉膛内充入保护气体；将石墨气冷装置插入熔融的工业硅中，向石墨气冷装置中通入保护气体，当石墨气冷装置表面的多晶硅的厚度为20mm～50mm时，将石墨气冷装置取出；将取石墨气冷装置上的硅敲下至盛放容器中；反复提取至石墨气冷装置用于析出多晶硅的部分不能完全插入熔融的工业硅中。优点是：耗能少、生产效率高、生产成本低、操作简单。