一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN201721428381.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207441705U | 公开（公告）日 | 2018-06-01 |
| 申请公布号 | CN207441705U | 申请公布日 | 2018-06-01 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李海鸥;王博;邹锋;刘洪刚;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李跃 | 申请（专利权）人 | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人 | 桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III‑V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III‑V族CMOS技术要求。 |
