半导体芯片的共晶焊接方法
基本信息
| 申请号 | CN201511021788.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105489515B | 公开（公告）日 | 2019-01-11 |
| 申请公布号 | CN105489515B | 申请公布日 | 2019-01-11 |
| 分类号 | H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王常毅;李勇昌;邹锋;蒋振荣;邹波 | 申请（专利权）人 | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市国家高新区信息产业园D-8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银，大大节约了生产成本，且提高了封装产品热导率，增长产品使用寿命。 |
