一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN201711034834.4	申请日	-
公开（公告）号	CN107833923A	公开（公告）日	2018-03-23
申请公布号	CN107833923A	申请公布日	2018-03-23
分类号	H01L29/78;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28	分类	基本电气元件;
发明人	李海鸥;王博;邹锋;刘洪刚;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李跃	申请（专利权）人	桂林斯壮微电子有限责任公司
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司
地址	541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III‑V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III‑V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III‑V族CMOS技术要求。