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一种集成光电子器件制造用蚀刻装置

基本信息

申请号 CN201810011991.1 申请日 -
公开（公告）号 CN108064119A 公开（公告）日 2018-05-22
申请公布号 CN108064119A 申请公布日 2018-05-22
分类号 H05K3/06;H01L21/67 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 上海尔迪仪器科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 362100 福建省泉州市惠安县紫山镇达利饮料厂斜对面
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种集成光电子器件制造用蚀刻装置，其结构包括机架、输送架、高压喷淋头、蚀刻开关、加热板台、废液收容筒、废液酸碱中和结构，输送架机械连接于机架的上端表面后部，高压喷淋头活动连接于机架的上端表面中间处且其垂直贯穿入机架的内部空腔内，加热板台活动连接于机架的内部空腔中右处，废液收容筒活动连接于高压喷淋头的左端表面，废液酸碱中和结构活动连接于机架的内部空腔中下处，本发明在对集成光电子器件进行蚀刻操作的过程中，可以对设备的蚀刻喷淋废液进行一定的酸碱中和处理，防止废液中的酸对设备造成腐蚀，也避免酸性蒸汽对使用者的身体健康造成一定的伤害，减少设备的维护成本，有效提高了设备的可靠性能。