一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710847497.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107591336A | 公开（公告）日 | 2018-01-16 |
| 申请公布号 | CN107591336A | 申请公布日 | 2018-01-16 |
| 分类号 | H01L21/48 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马名生;林琳;刘志甫;李永祥 | 申请（专利权）人 | 横店影视制作有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;横店集团控股有限公司;浙江矽瓷科技有限公司 |
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，具备如下步骤：将LTCC生瓷带切割成LTCC生瓷片，然后将切割好的多片LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而分别形成上层盖板、子层板和下层板；将子层板与下层板进行第二阶段叠层，从而形成合层板；将上层盖板和合层板进行第三阶段叠层，从而形成带有空腔结构的LTCC巴块；对LTCC巴块进行切割后得到LTCC基板素坯，然后将LTCC基板素坯进行烧结；第三阶段叠层的工艺中的叠层压力、温度和时间均小于第一和第二阶段叠层的工艺中的参数。根据本发明，极大降低了带有空腔结构的低温共烧陶瓷基板的制造成本，有利于低温共烧陶瓷基板空腔结构的批量化生产。 |
