SON结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011592417.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112701079A | 公开（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申请公布号 | CN112701079A | 申请公布日 | 2021-04-23 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L27/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张洋;徐德辉;荆二荣 | 申请（专利权）人 | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢2层236室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底中制备牺牲柱；外延第二半导体衬底且牺牲柱在外延过程中去除形成空腔结构。本发明在第一半导体衬底中预制牺牲柱结构，基于外延过程中牺牲柱的变化形成悬空的上层第二半导体衬底，在牺牲柱的位置对应形成空腔结构，制备得到SON结构，本发明不需要键合工艺即可形成硅悬浮结构，外延层晶向与衬底晶向相同，悬浮层的厚度可以精确控制，并且外延过程中可以精确控制掺杂浓度调整悬浮膜层的电阻率。 |
