SON结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011589458.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112701128A | 公开（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申请公布号 | CN112701128A | 申请公布日 | 2021-04-23 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/762 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张洋;徐德辉;荆二荣 | 申请（专利权）人 | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢2层236室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底上形成中间氧化层；在中间氧化层中制备包括第一沟槽、第二沟槽和呈环形的第三沟槽的沟槽组合结构，第二沟槽与第一沟槽连通且包括延伸至中间氧化层端部的单元行；在第二半导体衬底中形成缺陷层；将第二半导体衬底与中间氧化层键合；自缺陷层处剥离第二半导体衬底。本发明提供一种非真空制备SON的方法，在氧化工艺形成的中间氧化层中制备沟槽组合结构，通过第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽的组合，相当于空腔结构中窗口图形通过条状沟槽与圆环沟槽相连，并且有一定数量的条状沟槽延伸到硅片边缘，使其与外部空气联通，保证内外压强一致，同时解决了空洞内的气体受热膨胀和真空导致机械强度问题。 |
