一种低空洞率的倒装LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN202120078301.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214411241U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214411241U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L33/62（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 | 申请（专利权）人 | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡枫;李素兰 |
| 地址 | 528200广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低空洞率的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。本实用新型的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。 |
