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一种高亮度LED芯片

基本信息

申请号	CN202022331287.X	申请日	-
公开（公告）号	CN213988914U	公开（公告）日	2021-08-17
申请公布号	CN213988914U	申请公布日	2021-08-17
分类号	H01L33/36（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	仇美懿;李进	申请（专利权）人	佛山市国星半导体技术有限公司
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	胡枫;李素兰
地址	528200广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极结构，所述电极结构包括电流扩展条、焊盘和连接层，所述电流扩展条和焊盘设于外延层上，所述连接层设于电流扩展条连接段上并与焊盘连接，所述焊盘和连接层的结构相同并同时形成；所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成。本实用新型采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成电极结构，发挥两者的优点，既可以提高芯片的亮度和电流扩展性，又不影响封装打线。