一种GaN基紫外探测器
基本信息
| 申请号 | CN202022663205.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988897U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988897U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/09（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔永进 | 申请（专利权）人 | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡枫;李素兰 |
| 地址 | 528200广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种GaN基紫外探测器，包括衬底；多个隔开设置在衬底上的吸收晶体层，所述吸收晶体层由GaN制成；将所有吸收晶体层形成导电连接的电极，所述电极包括接触层和导电层，所述接触层设于吸收晶体层和导电层之间，其中，所述接触层由金属活动性φA/V大于0.9eV的金属制成；所述导电层由紫外光可穿透的导电金属材料制成。本实用新型的电极采用金属活动性低的金属来制成接触层，以及采用高导电率和紫外光吸收率低的金属来制成导电层来形成金属叠层结构，在减少电极对紫外光吸收和降低线阻的同时，减少欧姆接触，达到最佳优化的电极结构来增强本实用新型GaN基紫外探测器对紫外光光致电流反应。 |
