一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极、光探测器芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110640050.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451427A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451427A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/108（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单志远;郑洪仿;陈凯;范凯平;陆绍坚;崔永进 | 申请（专利权）人 | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京清控智云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 仵乐娟 |
| 地址 | 528226广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法，该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面，为肖特基接触的合金电极层，该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上，该叉指电极由高纵横比的双沟道三指头和一对方形pad图形组成，其中第一和第二指头分别连接至第一方形pad图形的两端侧，第三指头连接至第二方形pad图形的中部，第一方形pad图形和第二方形pad图形相对设置，第三指头设置于第一、第二指头之间。金属层的设置提升了其与GaN微米线之间的粘附力，器件的成品率高，且高的纵横比提升了器件响应度和响应速率，降低了暗电流。 |
