一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法
基本信息
| 申请号 | CN202110367212.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113076712A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN113076712A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | G06F30/367（2020.01）I;G06F30/23（2020.01）I;G06F17/13（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 黄志召;康勇;陈材;刘新民;熊勇;李宇雄 | 申请（专利权）人 | 武汉羿变电气有限公司 |
| 代理机构 | 武汉瑞创星知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 叶小勤 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2-1021（自贸区武汉片区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于双脉冲测试的SiC MOSFET关断过程建模方法，包括如下步骤：搭建基于SiC MOSFET的双脉冲测试电路；基于所述SiC MOSFET关断过程中的各中间模态，建立各中间过程的等效电路；基于各中间过程的等效电路，建立关断过程的状态空间方程组；对所建立的微分方程组进行求解，从而得出基于SiC MOSFET的双脉冲测试电路的关断过程模型。本发明在传统关断模型的基础上提出了一种新的中间模态，能够用于分析极低损耗的关断过程；同时本模型充分考虑了回路中寄生参数以及SiC器件本身的非线性参数，保证了很高的计算精度。 |
