一种快恢复二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111272922.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114023644A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114023644A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/04（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/868（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 屈志军;王荣华;徐四向;吴方军;张若鸿 | 申请（专利权）人 | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 过顾佳 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城1-607 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该制备方法包括：提供N型低掺杂衬底，在N型低掺杂衬底的第一表面形成终端区和主结区，向主结区下方的N型低掺杂衬底中进行离子注入形成N型缺陷层，在N型低掺杂衬底的第二表面进行离子注入形成N型掺杂层。本发明采用了离子注入的方法在N型低掺杂衬底内形成一个N型缺陷薄层作为载流子的复合中心，通过改变pn结的发射率及载流子的分布，使得载流子能够在很短的时间内在内建电场的驱动下排出FRD器件体外，从而实现快速的反向恢复；并且通过调整N型缺陷薄层的浓度分布，还可以改变FRD的软度因子，改善系统的EMC干扰。 |
