毫米波芯片制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011042039.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112133666A | 公开（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申请公布号 | CN112133666A | 申请公布日 | 2020-12-25 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张志国;刘育青;张洋阳;李少鹏;安国雨;郭黛翡 | 申请（专利权）人 | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 河北冀华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 地址 | 101399北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种毫米波芯片制作方法，包括如下步骤：对减薄后的晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上。通过所述方法制备的芯片没有崩边或者毛刺，质量高。 |
