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碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件

基本信息

申请号 CN201811391524.2 申请日 -
公开（公告）号 CN109494150B 公开（公告）日 2021-06-08
申请公布号 CN109494150B 申请公布日 2021-06-08
分类号 H01L21/04;H01L21/324 分类 基本电气元件;
发明人 李波;胡泽先;刘亚亮;秦龙;张力江 申请（专利权）人 北京国联万众半导体科技有限公司
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 代理人 许小荣
地址 101300 北京市顺义区高丽营镇文化营村北（临空二路1号）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制备技术领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；对碳化硅圆片进行离子注入；去除光刻胶；去除二氧化硅介质；在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜为高温退火的保护层；对圆片进行高温退火；去除类金刚石薄膜。本发明提供的碳化硅高温退火表面保护的制作方法，通过沉积类金刚石薄膜对碳化硅进行表面保护，类金刚石薄膜能够作为阻挡层抑制表面处Si的升华和再沉积过程，从而避免退火表面过于粗糙，有效改善芯片表面形貌，提升器件性能和可靠性。