新型太赫兹单片的实现方法
基本信息
| 申请号 | CN202010730556.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111900086A | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN111900086A | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 安国雨;张志国;刘育青;郭黛翡;张洋阳;冯雪琳 | 申请（专利权）人 | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄轻拓知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 地址 | 101399北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型太赫兹单片的实现方法，涉及太赫兹芯片技术领域。所述方法包括如下步骤：设计太赫兹单片所需要的太赫兹肖特基二极管和太赫兹外围电路；根据设计的太赫兹肖特基二极管，制作分立的太赫兹肖特基二极管芯片；根据设计的太赫兹外围电路，制作分立的太赫兹外围电路；在太赫兹模块上安装制作的分立的太赫兹外围电路，并将制作的分立的太赫兹肖特基二极管芯片安装到所述太赫兹外围电路上，构成太赫兹单片电路。采用该种新型单片制作方式，适用于批量生产，在应用于大规模生产效率时，可将产能增加2个数量级。 |
