一种碳化硅器件的离子注入方法
基本信息
| 申请号 | CN201811391500.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109473345B | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN109473345B | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L21/266 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 秦龙;宋洁晶;胡泽先;高渊;高昶;孙虎;赵红刚;吕鑫;朱延超;高三磊;王强栋;吕树海;刘相伍 | 申请（专利权）人 | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所;北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区高丽营镇文化营村北(临空二路1号) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。 |
