一种低毛细管噪声长落汞周期的滴汞电极
基本信息
| 申请号 | CN202010514717.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111521660B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN111521660B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | G01N27/34（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 谭雪飞;边秀杰;田军川;郑永杰;布和巴特尔;牛瑞;郭磊;李晓楠 | 申请（专利权）人 | 黑龙江工程学院 |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 150050黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低毛细管噪声长落汞周期的滴汞电极，它涉及一种滴汞电极。本发明的目的是要解决现有滴汞电极存在使用时易阻塞，滴汞周期小，流速不稳定，毛细管噪声大和制造内径不好控制的问题。滴汞电极包括环绕滴汞电极、铂电极座、铂电极、垫片和铂电极顶丝；环绕滴汞电极中设有孔的直线段穿过铂电极座的偏心通孔，环绕滴汞电极上的孔与铂电极座的上部侧面沿轴线垂线的方向上设置的螺纹孔相对应；铂电极中的铂丝一端设置在环绕滴汞电极直线段的孔中，另一端设置在铂电极座的螺纹孔中，铂电极的圆柱体穿出铂电极顶丝，且通过铂电极顶丝与铂电极座固定连接；铂电极顶丝与铂电极的圆台体之间设有垫片。本发明可获得一种低毛细管噪声长落汞周期的滴汞电极。 |
