一种多孔硅薄膜的制备装置

基本信息

申请号 CN201721178682.0 申请日 -
公开(公告)号 CN207097794U 公开(公告)日 2018-03-13
申请公布号 CN207097794U 申请公布日 2018-03-13
分类号 H01L21/677;H01L21/687;H01L21/3063;H01L21/02 分类 基本电气元件;
发明人 邬苏东;芦子玉;叶继春;夏金才;张欢;杨熹;杨阵海 申请(专利权)人 宁波升日太阳能电源有限公司
代理机构 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 代理人 杨秀芳
地址 315083 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
法律状态 -

摘要

摘要 一种多孔硅薄膜的制备装置,该制备装置包括硅片安装装置、清洗腐蚀一体化槽体,所述的硅片安装装置包括硅片安装槽、传送带、抽真空设备,所述的传送带装载有若干个硅片安装槽且配有可控制传送带行程的控制器,所述的硅片安装槽之间通过连接装置相互连接并接入传送带;所述的硅片安装槽上部与抽真空设备连接,硅片安装槽下部紧贴有硅片;所述的清洗腐蚀一体化槽体包括清洗槽、带有若干个钼电极的腐蚀槽;该制备多孔硅薄膜的方法包括传送带调控步骤、硅片安装步骤、硅片清洗及腐蚀步骤、取样步骤的四大步骤来完成多孔硅薄膜的制作;本实用新型具有批量生产、自动化控制的优点。