一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910849765.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110541157A | 公开（公告）日 | 2019-12-06 |
| 申请公布号 | CN110541157A | 申请公布日 | 2019-12-06 |
| 分类号 | C23C16/20（2006.01）; C23C16/34（2006.01）; C23C16/455（2006.01）; C23C16/52（2006.01）; H01L21/02（2006.01） | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 钟蓉; 仇成功; 彭鹏; 甄龙云; 薛遥; 李冬冬; 周建华 | 申请（专利权）人 | 陕西光电子先导院科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州浙科专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 温州大学; 陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司 |
| 地址 | 325000 浙江省温州市瓯海区茶山高教园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种限制GaN外延薄膜的裂纹生长、表面形貌均匀且工艺相对简单、易于实现的Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法。采用的技术方案包括：采用MOCVD系统进行外延生长以及Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法，其特征在于：其外延结构依次为Si衬底、预铺铝层、低温氮化铝（AlN）缓冲层、高温氮化铝（AlN）缓冲层、氮化镓铝（AlxGa1‑xN）层、氮化镓（GaN）薄膜层，其中，低温AlN缓冲层为低温AlN三维成核层，高温AlN缓冲层为高温AlN二维成核层，AlxGa1‑xN层为AlxGa1‑xN应力释放层，GaN薄膜层为最终生长层。 |
