高线性度的低噪声放大器及其设计方法
基本信息
| 申请号 | CN201110311525.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102394572B | 公开（公告）日 | 2014-11-26 |
| 申请公布号 | CN102394572B | 申请公布日 | 2014-11-26 |
| 分类号 | H03F1/32(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 徐化;林敏;石寅 | 申请（专利权）人 | 苏州中科半导体集成技术研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 灵芯微电子科技（苏州）有限公司;中科威发半导体（苏州）有限公司 |
| 地址 | 215021 江苏省苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期科技广场9A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高线性度的低噪声放大器，其包括具有主放大管的放大单元、放大偏置单元，放大偏置单元连接在第一偏置电压与主放大管的栅极之间，其还包括辅助单元，辅助单元包括辅助管、辅助偏置电路，辅助管的源极与主放大管的源极相连接，辅助管的漏极与主放大管的漏极相连接，辅助偏置电路连接在第二偏置电压与辅助管的栅极之间。本发明中辅助管的增加并不影响低噪声放大器的噪声性能；同时辅助管的偏置远远小于主放大管，因而没有对功耗产生很大的影响；最后，仅增加了一个辅助管以及相应的辅助偏置电路，也不回引起芯片面积的增加。本发明的普遍性，适于作为要求高线性度的系统的低噪声放大器。 |
