一种ITO烧结靶材的制备方法
基本信息
申请号 | CN201810671772.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108947520A | 公开(公告)日 | 2021-06-11 |
申请公布号 | CN108947520A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
分类号 | C04B35/457;C04B35/622;C23C14/35 | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 梅方胜;袁铁锤;陈立三;杨杨;刘文德;李瑞迪;赵为上;苗华磊 | 申请(专利权)人 | 株洲冶炼集团股份有限公司 |
代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 周孝湖 |
地址 | 412000 湖南省株洲市天元区渌江路10号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法,包括以下步骤:将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨,得ITO浆料,其中,In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1:(1.0‑2.0),In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm;将所得ITO浆料经喷雾造粒,得ITO造粒粉体;将所得ITO造粒粉体装入冷压模具中,经振动和抽真空操作后,再经一步冷等静压成型,得ITO坯体;将所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结,即得所述ITO烧结靶材。该制备方法所得ITO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质,解决现有技术的ITO烧结靶材的制备方法工艺流程复杂、成本高、对环境污染较大的问题。 |
