一种用于电镀钴的镀液及电镀方法
基本信息
| 申请号 | CN202110402998.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113106506A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113106506A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | C25D3/18（2006.01）I;C25D5/18（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 王翀;陈雪丽;陈苑明;洪延;何为;王守绪;周国云;张伟华;苏新虹;李照飞;罗毓瑶;叶依林 | 申请（专利权）人 | 珠海方正科技高密电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 霍淑利 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于电镀钴的镀液及电镀方法，属于电子元器件制造领域。本发明的一种用于电镀钴的镀液中各组分及浓度如下：Co：0.05‑1mol/L，支持电解质：20‑100g/L，辅助配位剂：1‑48.6g/L，缓冲剂：20‑45g/L，稳定剂：0.2‑1g/L，辅助光亮剂：0.001‑0.01g/L，分散剂：0.05‑2g/L，整平剂：0.2‑1.6g/L。在进行大马士革电镀、微孔填充等精密电子互连线路的制造时，采用本发明的一种用于电镀钴的镀液可实现无孔隙钴填充，解决了精密电子互连线路中使用铜互连时无法避免的电迁移、互扩散等问题，本发明将有助于提升导电性、降低功耗并大幅减小芯片体积，使芯片效能更优越。 |
