一种用于芯片互连的电镀钴镀液及配制方法
基本信息
| 申请号 | CN202110405374.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113122887A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113122887A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | C25D3/12（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 王翀;周柘宁;洪延;周国云;王守绪;何为;陈苑明;陈德福;苏新虹;孙玉凯;金立奎 | 申请（专利权）人 | 珠海方正科技高密电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 霍淑利 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于芯片互连的电镀钴镀液，属于电子制造技术领域。本发明的一种用于芯片互连的电镀钴镀液中各组分及电镀条件如下：主盐（以钴含量计）5‑20g/L、稳定剂1‑50g/L、缓冲剂10‑30g/L、晶粒细化剂1‑500mg/L、表面活性剂0.1‑1g/L、整平剂0.1‑1g/L、pH 3‑6、电流密度0.1‑3A/dm、施镀温度50‑70℃。利用本发明公开的镀液所沉积的钴金属可以替代铜金属成为10nm以下芯片制程的互连材料，对微纳沟槽和微孔有良好的填充能力，有利于降低后段制程的寄生效应，提高芯片的可靠性。 |
